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제목 박막소자연구실(신소재공학과) 및 에너지나노공학연구실(MSDE학과), 2022 ALD 국제학회에서 우수 포스터상 수상
작성자 홍보실 조회수 6434 날짜 2022-07-16
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지난 6월 26일~29일 미국 진공 학회(AVS) 주관으로 개최된 'ALD 2022'(22nd International Conference on Atomic Layer Deposition, June 26-29, 2022, Ghent, Belgium)에서 우리 대학 일반대학원 신소재공학과와 MSDE학과 소속 대학원생 3인이 각각 우수 포스터상(Best Poster Award)을 수상하였다.

 

벨기에 겐트에 거행된 2022 ALD 국제학회에서 신소재공학과 박막소자연구실 (TED Lab, 지도교수 한정환) 석사 과정 조현희 학생은 ‘Hafnium zirconium oxide-based ferroelectric field effect transistor with atomic-layer-deposited indium gallium tin oxide channel layer ' 주제로 'Poster Third Place Award’을, 석사 과정 김진아 학생은 ‘Intense Pulsed Light Annealing of Low-temperature Atomic-layer-deposited SnO Thin Films for P-channel Thin Film Transistor' 주제로 'Poster Recognition Award’을 수상하였다.

 

또한 MSDE학과 에너지나노공학연구실 (ENTeR Lab, 지도교수 안지환) 석사 과정 박건우 학생이 ‘Film Properties of Al2O3 on Si and Graphene substrates deposited by UV Enhanced Atomic Layer Deposition ' 연구주제로 'Poster Recognition Award’을 수상하였다.

 

ALD 국제학회(International Conference on Atomic Layer Deposition)은 최신 반도체 공정인 원자층 증착 공정에 관련된 세계 최대의 학회로, 이번에 22회째를 맞이한 ALD 2022에는 800 명이 넘는 관련 연구자들이 참가하여 논문을 발표하였다.


    

 

 

 

 
조현희, Hafnium zirconium oxide-based ferroelectric field effect transistor with atomic-layer-deposited indium gallium tin oxide channel layer, Third Place Awardee

 

 

 

 


김진아, Intense Pulsed Light Annealing of Low-temperature Atomic-layer-deposited SnO Thin Films for P-channel Thin Film Transistor, Recognition Awardee


 

 

 


박건우, Film Properties of Al2O3 on Si and Graphene substrates deposited by UV Enhanced Atomic Layer Deposition, Recognition Awardee

 

 

 

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